政府公共調達データベース

国立大学法人 - 資料提供招請に関する公表スピントロニクス材料成膜・デバイス形成システム一式

本調達はWTOの政府調達に関する協定、日EU経済連携協定又は日英包括的経済連携協定の適用を受ける調達です。

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公示日/公告日 2022年06月06日
公示の種類 資料提供招請に関する公表
調達機関 国立大学法人（宮城県）
分類
0024 科学用又は制御用の機器
本文 資料提供招請に関する公表
　次のとおり物品の導入を予定していますので、当該導入に関して資料等の提供を招請します。
　令和４年６月６日
　国立大学法人東北大学理事　植木　俊哉　
◎調達機関番号　415　◎所在地番号　04
○第５号
１　調達内容
　⑴　品目分類番号　24
　⑵　導入計画物品及び数量　スピントロニクス材料成膜・デバイス形成システム　一式
　⑶　調達方法　購入等
　⑷　導入予定時期　令和４年度11月以降
　⑸　調達に必要とされる基本的な要求要件
　Ａ　革新的スピントロニクス材料成膜装置　１式
　ａ　ＤＣ及びＲＦマグネトロンスパッタリング法により、300mmΦ基板上に薄膜の堆積を超高真空背圧下で３種類以上のガスを導入してできること。
　ｂ　プログラム制御により50枚以上の基板を連続して自動処理できること。
　ｃ　16元以上のカソードを備え、２元以上のカソードを同時に放電させることによる同時スパッタリング成膜ができること。
　ｄ　50～200℃の範囲及び350～450℃の範囲を含む任意の温度で基板を加熱しながら成膜する機構並びに80～200Ｋ（－193～－73℃）の範囲を含む任意の温度に基板冷却及び300～600℃の範囲を含む任意の温度で基板加熱できる機構を備えること。
　ｅ　400℃の熱処理後並びに０～30℃の測定温度範囲において、以下の特性を示す垂直磁化容易軸を有するCoFeBとMgOを含む磁気トンネル接合膜を基板上に90分以内で成膜できること。
　⑴　自由層と固定層の反転磁場に50mT以上の差異があること。
　⑵　トンネル磁気抵抗比が160％以上であること。
　⑶　抵抗と接合面積の積（以下「ＲＡ」という。）が10Ωμ㎡以下であること。
　⑷　上記ＲＡのばらつきが基板の半径130mmの範囲において±５％以下であること。
　ｆ　加工プロセスモジュールを含むモジュールを４つ以上増設できる拡張性を有すること。
　Ｂ　スピントロニクスデバイス形成装置　１式
　ａ　ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、300mmΦの基板上に薄膜の堆積を超高真空背圧下で３種類以上のガスを導入してできること。
　ｂ　４元以上のカソードを備え、２元以上のカソードを同時に放電させることによる同時スパッタリング成膜ができること。
　ｃ　350～450℃の範囲を含む任意の温度に基板を加熱しながら成膜できること。
　ｄ　300mmΦの基板上の薄膜のエッチングを基板とエッチング源との角度を０～90度を含む任意の範囲に変えて、基板回転しながらエッチングできること。ただし、基板の法線方向とエッチング源の法線方向が一致する角度を０度と定義する。
　ｅ　エッチングのエンドポイントを検出する機構を備えること。
　ｆ　（Ａ）革新的スピントロニクス材料成膜装置に接続し、プログラム制御によって300mmΦ基板を搬送し、成膜及びエッチングができること。
２　資料及びコメントの提供方法　上記１⑵の物品に関する一般的な参考資料及び同⑸の要求要件等に関するコメント並びに提供可能なライブラリーに関する資料等の提供を招請する。
　⑴　資料等の提供期限　令和４年７月７日17時00分（郵送の場合は必着のこと。）
　⑵　提供先　〒980―8577 仙台市青葉区片平２―１―１　東北大学財務部調達課調達第一係長　秋山　茂絋　電話022―217―4869
３　説明書の交付　本公表に基づき応募する供給者に対して導入説明書を交付する。
　⑴　交付期間　令和４年６月６日から令和４年７月７日まで。
　⑵　交付場所　上記２⑵に同じ。
４　説明会の開催　本公表に基づく導入説明会を開催する。
　⑴　開催日時　令和４年６月13日10時00分
　⑵　開催場所　オンライン開催とする。（詳細は、導入説明書による。）
５　その他　この導入計画の詳細は導入説明書による。なお、本公表内容は予定であり、変更することがあり得る。