知的財産ニュース 第四次産業革命のビッグデータ、ストレージクラスメモリが解決する

ストレージクラスメモリ関連の特許出願が活発

第四次産業革命を迎え、データを迅速かつ安全に処理する技術が注目を集めている中、既存のDRAM(Dynamic Random Access Memory)とフラッシュメモリの長所のみを組み合わせたストレージクラスメモリ（注1）関連技術の開発が活発に行われていることが分かった。最近脚光を浴びているストレージクラスメモリは、データ処理速度がDRAMと同じ水準であり、電源供給が中断されても、データが消えないという優秀性があるため、システム速度を10倍以上速く改善できると言われている。 このようなストレージクラスメモリを活用して、人工知能、ビッグデータ、モノのインターネットなどの商用化とともに、急増するデータトラフィックをより迅速かつ効率的に処理できると期待している。 ちなみにPC、スマートフォンなどで使用されるメモリは、主記憶装置のDRAMと補助記憶装置であるフラッシュメモリで確実に区分けられていた。 DRAMは、データ処理速度は速いが、電源供給が中断されると、データが消えるという欠点がある反面、フラッシュメモリは、DRAMと反対の特性を持っている。

韓国特許庁によると、ここ5年間（2014〜2018）のストレージクラスメモリ関連出願は、年平均46件であり、その前の5年間（2009〜2013）の年平均出願件数である11件に比べて4倍以上増加したことが分かった。

詳細な技術別の特許出願動向を見ると、ストレージクラスメモリを主記憶装置として使用する技術（58％）が最も多く、ストレージクラスメモリを補助記憶装置として使用する技術（19％）、主記憶装置と補助記憶装置の処理速度の差によるボトルネック現象を改善するために、ストレージクラスメモリをキャッシュメモリとして使用する技術（17％）の順で調査された。

ここ10年間、出願人別の特許出願動向を見ると、メモリ半導体技術の特性上、企業および大学・研究所が大半（99％）を占めているが、主要出願人として、サムスン電子（29％）、SKハイニックス（19％）、インテル（16％）、マイクロン（10％）の順となっている。

サムスン電子とSKハイニックスは既存のDRAM分野で蓄積してきた技術的な優位性をもとに、ストレージクラスメモリを主記憶装置として活用する手法について興味を持っているが、米国のインテルはマイクロンと共同開発した不揮発性メモリ技術である3DXpoint（注2）を活用し、主記憶装置と補助記憶装置のデータ処理速度の差によるボトルネックを改善する研究に重点を置いている。

特許庁の電子部品審査課長は、「DRAMおよびフラッシュメモリのマーケットシェアにおいて世界第1位である韓国にとって、ストレージクラスメモリの登場は危機かもしれない」とし、「このような危機をチャンスに変えるためには、ストレージクラスメモリに関連する技術動向の分析および研究開発を継続する必要がある」と述べた。