知的財産ニュース サムスン電子、西安で半導体会社を設立、最先端フラッシュメモリを生産

2014年5月11日
出所: 新華網

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韓国サムスン電子が陝西省西安市のハイテク技術産業開発区で設立した三星(中国)半導体有限公司は9日、完工式を行った。第一期投資額は70億ドルで、サムスンが開発した世界最先端の回路線幅10ナノメートル台のNAND型フラッシュメモリを生産する。

西安市で現在建設中のサムスンのパッケージテスト工場も年内に完成する見通し。完成すれば、完備した半導体生産チェーンが構築されることになる。これにより、1万人を超える雇用が生み出されることが見込まれる。

サムスンのフラッシュメモリプロジェクトに続き、米国のエア·プロダクツ·アンド·ケミカルズ、日本の住友、韓国の東進セミケム、国内の華訊電子を含む多数の国内外企業も西安市区ハイテク開発区に入居した。

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