SKハイニックス、世界最高仕様のHBM3Eを開発

韓国のSKハイニックスは8月21日、人工知能（AI）用超高性能DRAMの新製品、HBM3Eの開発に成功したと発表した。HBMとは、複数のDRAMを垂直連結した高帯域幅メモリーを指し、HBM3Eはその第5世代に当たる。HBMは、従来のDRAMと比較してデータの処理速度が革新的に速く、生成型AIなど高付加価値・高性能情報技術（IT）の領域で需要が伸びている。

業界では、メモリー半導体不況の打開戦略として、AI用HBMを新たな成長エンジンにしようと、各社が激しい競争を繰り広げている。SKハイニックスの DRAM商品企画担当のリュ·ソンス副社長は「当社は、HBM3Eを通じて、AI技術発展とともに脚光を浴びているHBM市場で製品ラインナップの完成度を高め、市場主導権を握ることになった」「今後、高付加価値製品のHBMの供給比率が高まり、経営実績回復の流れが加速化するだろう」と話している。

SKハイニックスは性能検証手続きを進めるため、顧客会社にサンプルを供給し始めており、検証が終わり次第、来年上半期から量産に入る計画だ。

（花輪夏海）