サムスン電子、回路線幅が3ナノメートルの半導体の量産を開始

韓国のサムスン電子は6月30日、世界で初めてゲートオールアラウンド（GAA：Gate-All-Around）構造（注1）を適用した3ナノメートル半導体の量産を開始したと発表した。

同社のGAA構造を適用した第1世代の3ナノメートルプロセスは、既存のフィンフェット（FinFET）構造（注2）の5ナノメートルプロセスに比べ、消費電力の45％削減、性能の23％向上、面積の16％小型化に成功した。開発中のGAA構造の第2世代プロセスでは、消費電力は50％削減、性能は30％向上、面積は35％小型化されるという。

また、同社は既に3ナノメートルプロセスの高性能コンピューティング（HPC：High-Performance Computing）向けの量産を開始しており、さらにモバイル機器向けのシステム・オン・チップ（SoC）（注3）などにも適用していきたい考え。今後は、顧客ニーズに応じた「PPA（消費電力・性能・面積）」を提供し、次世代の半導体受託生産サービス市場をリードしていきたいとした。

（注1）トランジスタの構造において、電流が流れる4面のチャネルをゲートで囲い、電流の流れをより細かくするなど、チャネルの調整能力を最大化した構造。

（注2）立体（3D）構造の最新プロセス技術。4ナノメートル以降の工程では計測以上の動作電圧が下げられないとされる。

（注3）さまざまな機能のデバイスで構成されたシステムを1つのチップとして作る技術。

（当間正明）