知的財産ニュース 韓国、次世代AIメモリ「強誘電体素子」特許出願、世界1位

- 韓国、12年間の出願数・年平均増加率ともに世界1位を維持 –

- サムスン電子・SKハイニックス、グローバルTOP3に名を連ねる –

韓国知識財産処（キム・ヨンソン処長）が直近12年間（2012年～2023年）に先進5カ国の知的財産機関（IP5：韓国、米国、中国、欧州連合、日本）に出願された強誘電体素子分野の特許を分析した結果、韓国が出願量43.1％（395件）で1位を占めた。

年平均増加率も韓国が18.7%で最も高く、韓国が出願量と増加率の両方で1位を占め、次世代メモリ技術を主導していることが明らかになった。

強誘電体は、電界を加えなくても誘電分極を維持して不揮発性を提供し、分極転換により高速な負荷応答速度を実現する誘電体物質である。

強誘電体を活用した素子は、他の次世代技術と比較して既存の半導体設備をそのまま活用できるため、新たな設備投資なしに生産が可能である。

また、ナノメートルレベルの薄い厚さでも強誘電特性が維持される独自の微細化性能により、従来の材料の物理的な限界を克服している。

このようなプロセス互換性と微細化性能により、強誘電体素子は高集積AIチップ製造に最適な条件を提供し、次世代AIメモリ産業をリードする中核材料としての地位を確立している。
＊ 強誘電体材料の中でもハフニウム酸化物（HfO2）は既存プロセスとの互換性が高く、高集積化および商用化に有利な関連メモリ市場も急速に成長している。

グローバル3D NANDフラッシュメモリ市場は、2024年の218億ドルから年平均21.8%成長し、2034年には1,494億ドルに達すると予測されている。強誘電体メモリ（FeRAM）市場も2021年から年平均3.8％ずつ成長し、2028年には3.8億ドル規模を形成すると予想される。

韓国、出願件数395件で世界1位、年平均増加率18.7%で世界1位

出願人の国籍別に見ると、出願件数は1位韓国が43.1%（395件）で最も多く出願し、次いで2位アメリカ28.4%（260件）、 3位日本18.5％（170件）、4位中国4.6％（42件）、5位欧州連合4.1％（38件）の順であった。

同期間の年平均増加率も韓国が18.7%で最も高く、次いで中国(14.7%)と米国(12.5%)であった。欧州連合(5.8%)と日本(-19.8%)は主要国の年平均増加率9.5%を大きく下回るか減少傾向を示した。

サムスン電子・SKハイニックス、グローバルTOP3に名を連ねる

主な出願者としては、1位サムスン電子（韓国、27.8%、255件）が最多出願者であり、2位インテル（INTEL）（米国、21.0%、193件）、 3位SKハイニックス（韓国、13.4%、123件）、4位TSMC（台湾、10.1%、93件）、5位NANYA（台湾、5.3%、49件）が続いた。

特に最近3年間（2021～2023年）の基準では、サムスン電子（139件）とSKハイニックス（86件）が1位と2位を占め、韓国が世界中のAIメモリ用強誘電体素子の研究開発を主導していることが確認できた。

韓国知識財産処のキム・ヒテ半導体審査推進団長は「強誘電体素子分野の技術成熟度が高まるにつれ、商用化技術の先取りに向けた特許権を確保するための競争が激化している」とし、「韓国企業が次世代AIメモリ技術分野を主導できるよう、科学技術情報通信部、産業通商資源部など関連機関と協力体制を構築し、特許分析の結果を産業界と共有するなど積極的に支援する」と述べた。