海外有望企業情報Elics

既存の半導体製造ライン（90nm CMOSプロセス）をそのまま利用し、シリコン上に形成する光導波路の電子密度変化による光の位相干渉を利用してオンオフ動作する革新的なレイヤー1（物理層）光回線スイッチデバイスを開発している。シリコン基板上に、シリコンのコアとシリコン酸化膜のクラッドよりなる光導波路で位相干渉計を形成し、シリコンのコアに形成されたPN接合に電子を注入することで電子密度変化による位相変化を起こす。GPU等から高頻度で指示される通信経路のスイッチングを行いながら大量の光データを高速で伝送する機能を実現する。1,000台から数十万台規模のGPUが超高速で連携する現代のAIデータセンターで最大の障害となっている「チップ間・サーバー間の通信遅延」と「光・電・光変換による莫大な電力浪費」という深刻な通信ボトルネックを、発熱を伴わないパッシブな光制御によって解消することを目指している。本チップを使用することでデータセンターの「光スイッチ装置」の階層型ネットワーク（Clos Network）が構成でき、数万台規模のGPUのマルチチップパッケージ（MCP）内も同社のチップが組み込まれる。

Elics is developing an innovative Layer 1 (physical-layer) optical switching device that can be manufactured on silicon using existing semiconductor production lines (90 nm CMOS processes). The device performs optical switching by leveraging phase interference caused by changes in electron density within optical waveguides formed on silicon. Specifically, a Mach-Zehnder interferometer is implemented using optical waveguides consisting of a silicon core and a silicon oxide cladding on a silicon substrate. By injecting carriers into a PN junction formed within the silicon core, the resulting change in electron density induces a phase shift in the propagating light, enabling optical on/off switching. The device is designed to support high-speed transmission of massive optical data volumes while dynamically switching communication paths in response to frequent routing instructions generated by GPUs and other high-performance processors.