三安光電とSTマイクロエレクトロニクス、重慶にSiC工場設立で合意

中国福建省アモイ市に本社を置く半導体企業の三安光電と、スイスの半導体大手STマイクロエレクトロニクス（ST）は6月7日、重慶市でシリコンカーバイド（SiC）半導体（注）の量産に向けた合弁工場「暫定名：三安意法半導体(重慶)」を設立することで合意したと発表した。同時に、三安光電は同合弁工場の生産ニーズを満たすため、同市で8インチSiC基板の製造工場を新設することも併せて発表した。

合弁工場は、三安光電の完全子会社の湖南三安が51％、STが49％を出資、合計32億ドルを投資する。2025年第4四半期（10～12月）に生産を開始し、2028年のフル稼働を目標としている。合弁工場はSTのSiC製造技術を活用し、フル稼働した場合に1週間当たり1万枚の8インチSiCウエハーを生産する。また、三安光電が独資で重慶市内に新設する予定の8インチSiC基板の製造工場（独資基板工場）には約70億元（約1,365億円、1元＝約19.5円）を投資する計画で、合弁工場と長期供給契約を締結する。

三安光電の林科闖総経理は「合弁工場は、その優位性を十分に発揮し、生産能力の拡大と、SiC半導体市場への広域的な応用推進、新エネルギー自動車の発展を後押しするものだ」と述べた。

STのジーン・マーク・チェリー社長兼最高経営責任者（CEO）は「中国の自動車と工業分野の電化が急速に進んでいる。中国の重要なパートナーと共同で専門的なウエハー工場を設立することは、中国の顧客ニーズを満たす最も効率的な方法」との見方を示すとともに、「新設予定の独資基板工場と合弁工場（前工程工場）、広東省深セン市にあるSTの後工程工場を組み合わせることで、SiCバリューチェーンを完備できるようになる。これは、イタリアとシンガポールでの大規模な投資に続き、世界的なSiC製造を拡大する重要な一歩だ」と述べた。

（注）シリコン（Si）と炭素（C）で構成される化合物半導体。従来のシリコン半導体よりも高いエネルギー効率で、小型化、軽量化、コストダウンを可能にする。

（梁梓園）