知的財産ニュース サムスン電子、上半期に19兆7000億ウォン投資…22％増加

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サムスン電子が今年上半期における研究開発(R＆D)費に5兆8000億ウォンの投資額を計上した。設備投資額も史上最高の13兆9000億ウォンとなり、上半期に投資額だけで19兆7000億ウォンを支出した。

サムスン電子の21日の四半期報告書によると、サムスン電子は、未来をリードする技術を開発し、イノベーション商品で市場を主導していくために1～6月に5兆7797億ウォンを研究開発費に投資した。

前年同期の４兆9876億ウォンより7921億ウォン、15.8％増加した。

研究開発投資の結果、サムスン電子は、パソコン向けの30ナノ級4GBのDDR4D‐RAM、モバイル端末向けの20ナノ級4GbのLP DDR2モバイルD ‐RAMなどを開発した。

サムスン電子は、開発期間が1～2年かかる事業部開発チーム、3～5年のかかる研究所、未来の成長エンジンコア技術を開発する総合技術院など、3段階の研究開発組織を構築している。

サムスン電子が昨年出願した特許件数は、国内特許5664件、海外特許1万234件だとされている。昨年末現在、米国で取得した特許件数は4894件で、2006年以降6年連続IBMに次ぐ2位となった。

上半期の設備投資額も13兆9480億ウォンを執行し、昨年同期(11兆1740億ウォン)より2兆7740億ウォン、24.8％増加した。上半期の設備投資の内訳を部門別に分析すると、半導体9兆6941億ウォン、LCD2兆6026億ウォン、その他1兆6513億ウォンと、半導体に投資する金額が圧倒的に多くなった。

サムスン電子は、今年、年間25兆ウォン規模の設備投資を計画しており、上半期にも半導体、LCD事業ラインの性能改善に巨額を投資すると予想されている。状況によっては25兆ウォンを大きく上回る可能性もある。

李ヒョングン記者