知的財産ニュース サムスンが中国で「最先端半導体」工場を設立、技術流出に懸念=韓国メディア

2014年5月21日
出所: 商務部公式サイト

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韓国·亜州経済の中国語電子版は19日、サムスン電子が中国の陝西省西安市に設立した半導体工場に、最先端の3次元NAND型フラッシュメモリー技術を投入することについて、業界では懸念の声が上がっていると指摘した。

サムスンは今年3月、技術輸出に関する申告手続きを完了したのに続き、5月9日に西安市にある半導体工場の建設工事を終了した。同社が昨年8月、世界で初めて量産に成功した「V NAND」技術の最新版を投入する予定。

サムスンは昨年、京畿道の華城工場で「V NAND」の量産を実現した。西安工場は現在、24層構造をつくる生産設備を導入しており、主要生産拠点の1つとして今後、32層生産設備にグレードアップする見通し。

「サムスンの先端技術輸出により、韓国の最先端半導体技術が、韓国よりも中国で早く導入される可能性が出る」と、韓国の業界有識者が懸念を示している。

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